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请教一个电调管子的问题

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楼主
发表于 2010-3-27 21:59 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
为什么飞机用的无刷电调都要用两种型号的管子,而车用的无刷电调都是用一种管子?

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沙发
发表于 2010-3-28 11:24 | 只看该作者

你好

我来回答你的问题吧,用两种型号的MOS的电调是P沟道MOS和N沟道MOS复合驱动,其中P沟道MOS是通过三级管来驱动的,且P沟道MOS的作用只是为了平衡N沟道的内阻,这样可以省略半桥驱动芯片降低成本,一般多见于40A以下电调,(蝎子电调除外,他的大功率电调也是P-N结合的),不过这种方式可靠性不高,
  一种型号的MOS管多见于40A以上电调,这类MOS是N沟道的,内阻小,功率大。需要半桥驱动芯片,常见半桥一般是IR系列居多,要驱动更强的也有用ISL的。这中驱动方式驱动能力强,可靠稳定,易实现大输出功率电调,但是成本略高,
  并不是说飞机用的电调是两种管子,车用是一种管子,而是看电调MOS的驱动方式的,

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3
发表于 2010-3-28 17:21 | 只看该作者
原帖由 TQCGP 于 2010-3-28 11:24 发表
我来回答你的问题吧,用两种型号的MOS的电调是P沟道MOS和N沟道MOS复合驱动,其中P沟道MOS是通过三级管来驱动的,且P沟道MOS的作用只是为了平衡N沟道的内阻,这样可以省略半桥驱动芯片降低成本,一般多见于40A以下电调 ...

学习了 :em00:
4
发表于 2010-3-29 07:51 | 只看该作者
学习了~~~~~MOS的导通不就是看G脚的电压吗?大于某个值 就内阻很小  电调使用的是V-MOS管  很好导通的
5
发表于 2010-3-29 09:35 | 只看该作者
简单的说,一种FET的电路板结构往往简单对称,即数量一定是6的整数倍(9个其实也行不过我还没看见过),三相驱动电桥最少要6个,如果不是6的整数倍,就肯定是两种FET了:em15:

我买的都是一种MOS的电调,单向的,二楼你说PN混用的我还没买过,不太了解,我原来一直以为双向电调才要PN混用的,看来不正确,麻烦高手继续指教,最好附张PN混用的原理图,不胜感谢!:em15:

[ 本帖最后由 神圣军医 于 2010-3-29 09:42 编辑 ]
6
发表于 2010-3-29 09:37 | 只看该作者
原帖由 xiaojun0000 于 2010-3-29 07:51 发表
学习了~~~~~MOS的导通不就是看G脚的电压吗?大于某个值 就内阻很小  电调使用的是V-MOS管  很好导通的

不完全正确,是GS的电压差控制电流,近似e指数关系
7
发表于 2010-3-29 09:40 | 只看该作者
学习学习~~~~~~~~~~~
8
发表于 2010-3-29 18:21 | 只看该作者
嗯,1 楼的同志,说滴到位 哇!
9
发表于 2010-3-30 14:24 | 只看该作者
沙发先生说得很对啊!
简单说,管子(MOS)就是一个开关了,电机要转动,就得内部线圈从一个到另外一个按照次序通电,那么怎样完成这样的按次序通电呢?就是用开关了,不过MOS是电子开关而已。
简单举个例子:有10个灯,1字排开,10个开关,要10个灯以此亮怎么做,就是要一次开1个开关并在开1个开关时,关掉上面的已经打开的开关。MOS就是一种开关而且,灯其实就是电机的线圈。
10
 楼主| 发表于 2010-4-9 18:22 | 只看该作者
:em15:
11
发表于 2010-4-9 19:30 | 只看该作者
40A以下的电调,为了省略半桥驱动芯片降低成本,一般用P沟道和N沟道两种型号的MOSFET组成复合驱动,

这句我已经理解了,但是下面这句没有完全理解,请TQCGP在解释一下:

其中P沟道MOS是通过三极管来驱动的,且P沟道的作用只是为了平衡N沟道的内阻,

我原来以为P沟道作为上臂是必不可少的, 你这句只是为了平衡N沟道的内阻,

我看糊涂了,所以请说详细点

[ 本帖最后由 yxu2008 于 2010-4-9 19:31 编辑 ]

全桥驱动电路.jpg (34.16 KB, 下载次数: 10)

全桥驱动电路.jpg
12
发表于 2010-4-13 19:32 | 只看该作者
请教FDD8896管的资料,谢谢!
13
发表于 2010-4-13 20:10 | 只看该作者
原帖由 yym 于 2010-4-13 19:32 发表
请教FDD8896管的资料,谢谢!

FDD8896的参数可在下面的网站上下 载PDF格式的资料。
www.dzjsw.com
其主要参数有:
极限电流:VGS=10V时     94A            VGS=4.5V时     85A
跨导电阻:VGS=10V时      5.7毫欧     VGS=4.5V      6.8 毫欧
耐压:30V
开启电压:最小1.2V      最大2.5V
散耗功率:80W
封装形式:TO252和TO251AA
14
发表于 2010-4-14 10:51 | 只看该作者
有高手啊  学习了:em24:
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